当全球碳化硅（SiC）产业在经历数年投资热潮后，悄然步入一个“调整期”，行业的目光正投向东方。据权威研究机构YoleGroup最新报告，到2025年，上游工艺的产能利用率将降至约50%，而中国逆势成为全球最大的碳化硅设备资本开支区域，本土设备商在晶体生长、外延环节已能与国际厂商正面竞争，但在减薄、量测及先进离子注入环节，国际厂商仍保持领先。

这不仅是一场关于耐力的比拼，更是对体系化能力的考验。随着市场发展进入新阶段，技术实力与产业化成果逐步显现。即将于2026年8月26日至28日在深圳国际会展中心（宝安新馆）隆重举行的PCIMAsia深圳2026，正是这样一个不容错过的产业观察窗口。作为亚洲电力电子行业的风向标，其核心活动“功率半导体新锐峰会”，将向业界全景式展示中国功率半导体在硅基与宽禁带“双赛道”上的体系化跃迁。

全链视角：一场“从晶圆到模块”的深度观察

深耕亚洲市场二十余载，PCIMAsia通过展览会与研讨会相结合的模式，已搭建起连接业界与科研成果的桥梁，并汇聚行业与学术界的专家、领军企业代表，向行业各界人士呈现一条完整的产业价值链。本届PCIMAsia深圳2026的核心亮点之一，是“功率半导体新锐峰会”。它站在“晶圆-衬底-芯片-器件-模块”的全链视角，集结了中国硅基与宽禁带“双赛道”最具爆发力的玩家。这里不仅是龙头系统方案的展示场，更是新锐“黑科技”的首发地，旨在折射中国功率半导体从单点性能突破到体系化能力的集体跃迁，呈现国产IGBT与SiC在全球突围中的最新量产答卷。